第八代BiCS FLASH厉害在哪里？

第八代BiCS FLASH已然投入量产，第代意味着基于BiCS FLASH的害里产品也将得到新一轮升级。全新的第代BiCS FLASH无论在存储密度、性能都有了显著提升，害里特别是第代2Tb QLC NAND是当下业界内最大容量的存储器。

为了让第八代BiCS FLASH突破存储限制，害里铠侠通过专有工艺和创新架构，第代实现了存储芯片的害里纵向和横向缩放平衡，所开发的第代CBA（CMOS directly Bonded to Array，外围电路直接键合到存储阵列）和3.6Gbps接口速度，害里给AI应用、第代数据中心、害里移动设备提供了更多潜在可能。第代

技术永远不是害里一蹴而就，在第八代BiCS FLASH突破限制背后是第代铠侠对技术的不断创新和积累，在第八代BiCS FLASH已经发布的此刻，不妨让我们一起看看第八代BiCS FLASH厉害在哪里。

摆脱高层数的桎梏

与许多芯片制造商宣传的工艺制程，不再代表晶体管之间的实际距离类似，NAND堆叠的企商汇层数其实也不再是唯一影响存储容量与占用空间之间的关系。在单位空间内想尽办法装入更多的存储单元，打造高密度的存储设备，提升存储密度才是最终的目的。

在闪存技术由2D转向3D的过程中，铠侠深刻感受了这一点，虽然通过布线的微细化，提高了每枚硅模的存储容量和存储密度，但当布线宽度达到15nm的时候，设计团队发现微观世界下，更多问题浮出水面，比如各层晶圆制作需要更薄，而且进行堆叠会使得晶圆高度有所增高，而为了形成存储单元，则需要加工出极深且极细的孔，这就不可避免的需要导入最先进的设备，而这将花费庞大的成本。

因此单纯的香港云服务器提升堆叠层数可以在一定程度上解决存储密度的问题，但不是提升存储密度的唯一解，在成本可控的前提下实现高密度、高性能存储成了重要的问题之一，对存储通孔深度、平面方向设计、工艺等各种要素进行优化，横向压缩密度，进而开发出成本与性能都能达到平衡的产品。218层的第八代BiCS FLASH正是在这样的前提下诞生的。

第八代BiCS FLASH所采用的CBA（CMOS directly Bonded to Array）

两片晶圆，合二为一

第八代BiCS FLASH首先遇到的问题是CMOS电路和存储单元的晶圆需要不同的温度进行处理，CMOS在高温处理中会遇到晶体管特性恶化的问题，而存储单元制造则需要高温处理来实现对应的特性。如何处理CMOS和存储单元不同温度的需求，云服务器工程师给出的最终解决方案便是CBA（CMOS directly Bonded to Array）架构。

CBA与以往单个晶圆制造CMOS逻辑电路与存储单元完全不同，而是分成了两片分别制造，然后再进行翻转后贴在一起，从而实现不同工艺都可以发挥更大优势，也可以进一步压缩生产时间。

但两片晶圆贴合不是一件容易的事情，为了确保闪存的可靠性，必须以极高的精度进行对位，如果将300mm直径的晶圆贴合，精度需要维持在0.003mm以内，否则会导致NAND FLASH无法工作，或者寿命与可靠性降低。

第八代BiCS FLASH的300mm晶圆

因此在晶圆贴合的时候，晶圆表面需要高强度的平坦化处理，得益于累计的经验，铠侠已经能够很好的实现这一点。与此同时，在存储密度上，第八代BiCS FLASH有了显著提升，即便在NAND层数低于友商的前提下，仍然可以让存储密度高出对手大约15%到20%。

第八代BiCS FLASH的电⼦显微扫描成像图

图中的粉色线表示贴合面，上部为存储单元阵列，下部为CMOS电路

得益于逻辑电路和结构的优化，第八代BiCS FLASH在提升存储密度的同事，性能也有所提升，包括写入性能提高了20%，读取速度提高了10%，耗电量减少了30%（写入时），接口速度达到了3.6 Gbps，接口速度表现上也优于同级别产品，从而带动最终产品性能提升，比如SSD、UFS存储器等等。

由于在第八代BiCS FLASH中导入了CBA架构而使千兆位密度得到了大幅度的提高

为AI提供更多可能

第八代BiCS FLASH推出的同时，基于第八代BiCS FLASH的QLC存储器也已经开始送样，铠侠通过QLC技术打造了目前业界最大容量的2Tb规格，这意味着当一个封装内堆叠16个Die的时候，就能做到单个存储芯片实现业界领先的4TB容量，2个存储芯片就可以实现16TB容量。

同时，存储芯片也使用了更为紧凑的封装设计，尺寸仅为11.5 x 13.5 mm，高度为1.5 mm，可以更好的节省机器的内部空间。特别对于轻薄型笔记本而言，只需要1个M.2 2280接口，配合单面的消费级SSD设计，就可以实现16TB的存储空间，装载更多大模型、视频素材、3A游戏变得轻而易举。

同样如果应用到诸如手机的移动端中，在相同的物理空间内，OEM和ODM也有机会装入更大容量的存储，让智能手机跨入2TB以上的存储空间变得更为简单。相比现在主流的第五代BiCS FLASH QLC产品，第八代BiCS FLASH 2Tb QLC的存储密度提升了约2.3倍，写入性能提高了约70%。

服务器与数据中心领域更是第八代BiCS FLASH 2Tb QLC发挥价值的地方。随着人工智能AI推动密集型数据运算，迫使HBM（高频宽内存）在数据中心的服务器上的应用不断深入，但是其耗电量极高。因此，市场对低耗电量的小型、轻量型SSD的需求越来越大。第八代BiCS FLASH 2Tb QLC可以做到单个企业级SSD就能实现现有产品无法企及的大容量，并且耗电量更小、更轻量化，进而促使HDD向SSD升级的速度。

第八代BiCS FLASH的目标是应用于更为广泛的用途，包括与越来越多被PC所采用的PCIe 5.0兼容的SSD，以及面向智能手机的存储设备、数据中心SSD、企业级SSD以及车规级存储设备，相信不久的将来，基于第八代BiCS FLASH的产品将会越来越多，铠侠将与合作伙伴们一起，为存储创造全新的价值。